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硅锗/绝缘体上外延硅互补金属氧化物半导体及其制造方法<%=id%> |
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分 类 号：
H01L21/324;H01L21/20;H01L21/84
颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.30 US 10/016373
申请(专利权)人：
夏普公司
地 址：
日本大阪市
发 明 (设计)人：
许胜藤;D·J·特威特;D·R·埃文斯
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
王景朝;马崇德
摘要
本发明提供了一种制造简单SiGe/SOI结构的方法。尤其是，通过生长SiGe外延层，然后在550-1050℃之间的温度使其弛豫退火，而将SOI的顶硅层转化为Si1-xGex。该温度处理使SiGe弛豫，以将Ge顶硅层转化为弛豫的SiGe层并且消除了SOI膜中的缺陷。因此，可得到缺陷密度非常低的晶体。该SiGe层覆盖有外延的硅层。因为该硅层生长在弛豫的SiGe上，所以顶硅层是应变的硅层。因此，得到了更高的电子和孔穴迁移率。埋入的氧化物界面作为SiGe弛豫的缓冲区。不需要缓变的SiGe层。结果是，该结构的缺陷密度实质上低于现有技术结构的缺陷密度。
主权项
权利要求书
1.一种形成SiGe/SOI结构的方法，它包括如下步骤：
提供一个包括氧化物埋层的绝缘体外延硅基片；
在所述基片上沉积硅锗层；和
在至少1050℃的温度下使所述基片上的硅锗层退火达至少1秒的时
限。
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