制造具有浅结的集成电路的方法<%=id%>

颁证日：
优先权： 2001.10.29 KR 66742/2001
申请(专利权)人：韩国电子通信研究院
地址：韩国大田市
发明 (设计)人：李诚宰;赵元珠;朴京完
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：李晓舒;魏晓刚
摘要
　本发明公开了一种制造具有浅结的集成电路的方法。包含杂质的SOG层形成在半导体衬底上。杂质离子通过等离子体离子注入法额外地注入到SOG层内，以增加SOG层内的杂质浓度。通过固相扩散法，包含在具有增加的杂质浓度的SOG层内的杂质离子被快速热处理并扩散至半导体衬底内，以形成浅结。结果，杂质浓度通过等离子体离子注入法得以精确控制，且杂质离子不直接注入到半导体衬底内。于是，半导体衬底的晶体结构不受损伤。此外，如果在形成栅电极后，采用制造具有浅结的集成电路的方法，可以通过自对准方法形成LDD区和高度掺杂的源极/漏极区。
主权项
　权利要求书 1.一种制造集成电路的方法，包括：在半导体衬底上形成扩散阻挡层构图；在半导体衬底的整个表面上形成包含杂质的氧化硅玻璃层；通过等离子体离子注入法将杂质离子额外地注入到氧化硅玻璃层内，以增加氧化硅玻璃层内的杂质浓度；以及通过固相扩散法将包含在具有增加的杂质浓度的氧化硅玻璃层内的杂质离子扩散到半导体衬底内，以形成浅结。

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