利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法<%=id%>

分类号： H01L21/8238
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：北京大学
地址： 100871北京市海淀区颐和园路5号
发明 (设计)人：刘文安;刘金华;黄如;张兴
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京华一君联专利事务所
代理人：余长江
摘要
　本发明提供了一种利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法，属于超大规模集成电路技术领域。该方法依次包括以下步骤：设计单元版图；器件隔离、栅氧化和栅多晶硅淀积，此步骤之前根据需要制作阱；利用侧墙转移实现栅线条；淀积二氧化硅，随后反应离子刻蚀二氧化硅形成侧墙；利用多晶硅固相扩散实现互补CMOS LDD区；淀积二氧化硅，随后反应离子刻蚀二氧化硅形成最终器件的侧墙；采用常规后续工艺形成源漏，刻蚀接触孔，形成金属连线，完成器件之间的连接。本发明方法避免了极细栅线条和超浅结制作对半导体设备的苛刻要求，工艺简单易行，具有很大的优越性。
主权项
　权利要求书 1.利用侧墙和多晶硅固相扩散制作CMOS器件的方法，依次包括以下步骤： (1)设计单元版图：同常规工艺版图相比，没有多晶硅栅这层掩膜版，另外增加了一层用于形成侧墙的掩膜版，增加一层用于刻蚀掉不必要的侧墙部分的掩膜版； (2)进行器件隔离、栅氧化和栅多晶硅淀积；此步骤之前如果需要制作阱，则根据阈值电压的要求完成阱的制作； (3)利用侧墙转移实现栅线条； (4)淀积二氧化硅，随后反应离子刻蚀二氧化硅形成侧墙； (5)利用多晶硅固相扩散实现互补CMOS LDD区； (6)淀积二氧化硅，随后反应离子刻蚀二氧化硅形成最终器件的侧墙； (7)采用常规后续工艺形成源漏，刻蚀接触孔，形成金属连线，完成器件之间的连接。

设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明