半导体装置及其制造方法<%=id%>

颁证日：
优先权： 2001.11.1 JP 336202/2001
申请(专利权)人：三菱电机株式会社
地址：日本东京都
发明 (设计)人：泉谷淳子;竹若博基
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：刘宗杰;叶恺东
摘要
　本发明的课题在于在备有使用铜布线的多层布线结构的半导体装置中，获得将键合引线键合在键合区上时能提高连接的可靠性及稳定性的半导体装置及其制造方法。在第二层间绝缘膜14上局部地形成都是由铝合金构成的第三层布线17及键合区71。在第三层间绝缘膜63、第四层间绝缘膜67、保护绝缘膜72、以及缓冲被覆膜73内局部地形成具有由键合区71规定的底面的开孔部74。在开孔部74内插入键合引线75，键合引线75被键合在键合区71上。
主权项
　权利要求书 1.一种半导体装置，它是备有在绝缘膜内形成了多层布线层的多层布线结构的半导体装置，其特征在于：上述多层布线结构备有：由第一材质构成、具有作为属于最上层以外的布线层的第一布线功能的第一金属膜；由电阻比上述第一材质低、而且容易氧化的第二材质构成、具有作为属于最上层的布线层的第二布线功能的第二金属膜；以及由上述第一材质构成、属于最上层以外的布线层、具有作为键合区功能的第三金属膜，上述半导体装置还备有在上述绝缘膜内形成、具有由上述第三金属膜规定的底面的开孔部；以及插在上述开孔部内、连接在上述第三金属膜上的键合引线。

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