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r>分 类 号：
H01L29/78
颁 证 日：
优 先 权：
2001.5.9 JP 139060/2001;2002.3.7 JP 061988/2002
申请(专利权)人：
株式会社东芝
地 址：
日本东京都
发 明 (设计)人：
安原纪夫;中村和敏;川口雄介
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
王永刚
摘要
本发明的半导体器件包括：形成在半导体衬底表面上的第一导电型的半导体表层；第二导电型源极层；第二导电型漏极层；栅电极；元件侧连接部，与源极层邻接，电阻小于半导体表层，选择地形成在半导体表层上，不到达源极层和漏极层之间的沟道以及半导体衬底；接触侧连接部，与元件侧连接部邻接，电阻小于半导体表层，选择地形成在半导体表层，到达半导体衬底；连接源极层、元件侧连接部和所述接触侧连接部的源电极；位于半导体衬底背面的背面电极。
主权项
权利要求书
1.一种半导体器件，包括：
半导体衬底；
半导体衬底表面上形成的半导体表层，其电阻大于所述半导体衬底；
栅电极，形成在所述半导体表层的表面上所形成的栅极绝缘膜上；
第一导电型的漏极层，选择地形成在所述栅电极一侧的所述半导体表层上；
与所述漏极层连接的漏电极；
第一导电型的源极层，选择地形成在所述栅电极另一侧的半导体表层上；
元件侧连接部，与所述源极层连接，电阻小于所述半导体表层，选择地形
成在所述半导体表层上，不到达所述半导体表层之中的所述源极层和所述漏极层
之间的沟道部以及所述半导体衬底；
接触侧连接部，电阻小于所述半导体表层，向所述半导体衬底的深度比所
述元件侧连接部更深，选择地形成在所述半导体表层；
第一源电极，连接所述源极层、所述元件侧连接部和所述接触侧连接部；
背面电极，在所述半导体衬底背面与所述半导体衬底连接。
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