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分 类 号：
H01L31/0224;H01L31/068
颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
四川大学
地 址：
610065四川省成都市一环路南一段24号
发 明 (设计)人：
冯良桓;蔡亚平
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
成都信博专利代理有限责任公司
代 理 人：
刘金蓉
摘要
透明导电膜前电极晶体硅太阳电池属于一种的新结构的光伏电池。其要点是用透明导电薄膜作前电极，来代替栅状前电极及减反射层。本发明的透明导电膜前电极是迭层结构，即先在已形成n-p结的硅基底上，制作厚度小于100nm的高电阻透明导电膜，然后按电导和减反射的要求制作厚度大于150nm的高电导透明导电膜。可使转换效率提高25-35％。制作成本比现有技术有所降低。
主权项
权利要求书
1.一种晶体硅太阳能电池，其结构为背电极/制有n-p结的晶体硅/前电
极，其特征是前电极为透明导电膜前电极。
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