电荷泵及使用其的压倍器<%=id%>

分类号： H02M3/07
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：威盛电子股份有限公司
地址：台湾省台北县新店市
发明 (设计)人：颜敬贤
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：王志森;黄小临
摘要
　一种电荷泵及使用其的压倍器，其通过串接由低压制造工艺所制作的P型与N型金属氧化物半导体来解决电路中所遭遇的高电压差问题。因此，电荷泵将可在避免栅极源极、栅极-基极与栅极-漏极间出现过高电压差的情况下提供外界更高的电压。
主权项
　权利要求书 1.一种电荷泵，包括：一电压源，提供一输入电压；一信号源，提供一操作时钟信号和与该操作时钟信号反相的一反操作时钟信号；一第一电容，具有第一电容端与第二电容端，该第一电容的第一电容端接收该操作时钟信号，该第一电容的第二电容端输出一第一输出电压；一第二电容，具有第一电容端与第二电容端，该第二电容的第一电容端接收该反操作时钟信号，该第二电容的第二电容端输出一第二输出电压；一第一P型金属氧化物半导体，具有基极、栅极与第一、第二源极/漏极，该第一P型金属氧化物半导体的第一源极/漏极电连接到该第一电容的第二电容端与该第一P型金属氧化物半导体的基极，且该第一P型金属氧化物半导体的第二源极/漏极电连接到该电压源；一第二P型金属氧化物半导体，具有基极、栅极与第一、第二源极/漏极，该第二P型金属氧化物半导体的第一源极/漏极电连接到该第一电容的第二电容端与该第二P型金属氧化物半导体的基极，该第二P型金属氧化物半导体的第二源极/漏极电连接到该第一P型金属氧化物半导体的栅极，且该第二P型金属氧化物半导体的栅极电连接到该电压源；一第三P型金属氧化物半导体，具有基极、栅极与第一、第二源极/漏极，该第三P型金属氧化物半导体的第一源极/漏极电连接到该第二电容的第二电容端与该第三P型金属氧化物半导体的基极，且该第三P型金属氧化物半导体的第二源极/漏极电连接到该电压源；一第四P型金属氧化物半导体，具有基极、栅极与第一、第二源极/漏极，该第四P型金属氧化物半导体的第一源极/漏极电连接到该第二电容的第二电容端与该第四P型金属氧化物半导体的基极，该第四P型金属氧化物半导体的第二源极/漏极电连接到该第三P型金属氧化物半导体的栅极，且该第四P型金属氧化物半导体的栅极电连接到该电压源；一第一N型金属氧化物半导体，具有基极、栅极与第一、第二源极/漏极，该第一N型金属氧化物半导体的栅极电连接到该电压源，该第一N型金属氧化物半导体的第二源极/漏极电连接到该第一P型金属氧化物半导体 2 的栅极，且该第一N型金属氧化物半导体的基极接地；一第二N型金属氧化物半导体，具有基极、栅极与第一、第二源极/漏极，该第二N型金属氧化物半导体的第一源极/漏极与该第二N型金属氧化物半导体的基极接地，该第二N型金属氧化物半导体的第二源极/漏极电性耦接该第一N型金属氧化物半导体的第一源极/漏极，且该第二N型金属氧化物半导体的栅极接收该反操作时钟信号；一第三N型金属氧化物半导体，具有基极、栅极与第一、第二源极/漏极，该第三N型金属氧化物半导体的栅极电连接到该电压源，该第三N型金属氧化物半导体的第二源极/漏极电连接到该第三P型金属氧化物半导体的栅极，且该第三N型金属氧化物半导体的基极接地；以及一第四N型金属氧化物半导体，具有基极、栅极与第一、第二源极/漏极，该第四N型金属氧化物半导体的第一源极/漏极与该第四N型金属氧化物半导体的基极接地，该第四N型金属氧化物半导体的第二源极/漏极电性耦接该第三N型金属氧化物半导体的第一源极/漏极，且该第四N型金属氧化物半导体的栅极接收该操作时钟信号。 3

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