|
|
|
|
|
|
|
|
证 日：
优 先 权：
2000.2.7 GB 0002775.5
申请(专利权)人：
格拉斯哥大学理事会
地 址：
英国格拉斯哥
发 明 (设计)人：
约翰·H·马什;西蒙·E·希克斯
国 际 申 请：
CT/GB01/00409 2001.1.31
国 际 公 布：
WO01/57565 英 2001.8.9
进入国家日期：
2002.09.10
专利 代理 机构：
北京市柳沈律师事务所
代 理 人：
李晓舒;魏晓刚
摘要
本发明公开了一种改进的集成光学装置(5a-5g)，该装置设有第一和第二装置(10a-10g；15a，15e)，后者彼此光耦合并以第一和第二不同的材料体系制成，第一或第二装置(10a-10g；15a，15e)之一在第一与第二装置(10a-10g；15a，15e)之间的耦合区处或其附近具有量子势阱混杂(QWI)区(20a，20g)。第一材料体系可以是基于砷化镓(GaAs)或磷化铟(I )的III-V半导体，而第二材料体系可以是二氧化硅(SiO2)、硅(Si)、铌酸锂(Li O3)、聚合物，或玻璃。
主权项
权利要求书
1.一种集成光学装置，提供了第一和第二装置，二者彼此光耦合并用
第一和第二不同材料体系制成，第一或第二装置中至少一个在第一与第二
装置之间的耦合区处或其附近具有量子势阱混杂(QWI)区。
|
|
|
|
|
设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明
Copyriht 2007 - 2008 © 科普之友 All right reserved |
