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    半导体存储器件<%=id%>

    证 日:
    优 先 权: 2000.3.8 JP 63936/2000;2000.5.12 JP 140862/2000;2001.2.28 JP 55202/2001
    申请(专利权)人: 日本电气株式会社
    地 址: 日本东京
    发 明 (设计)人: 高桥弘行;稻叶秀雄;园田正俊;加藤义之
    国 际 申 请: CT/JP01/01768 2001.3.7
    国 际 公 布: WO01/67461 日 2001.9.13
    进入国家日期: 2002.09.06
    专利 代理 机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
    代 理 人: 穆德骏;关兆辉
    摘要
      提供一种使地址存取高速化并可以缩短循环时间的半导体存储器件。第1地址解码器(2)、第1更新地址解码器(5)对分别从半导体存储器件的外部供给的外部地址(Xn)、半导体存储器件内部的更新中使用的更新地址(RXn)分别进行解码。多路复用器(8)根据外部地址传送信号(EXTR)和更新地址传送信号(RFTR),选择外部地址侧的解码信号(XnDm)或更新地址侧的解码信号(XnRm)作为解码信号(XnMm)输出,以便在1个存储器周期中可连续进行更新操作和Read/Write(读/写)操作。字驱动器(10)对多路复用器(8)等选择出的解码信号(XnMm、XpMq)进行解码,使字线(WLmq)激活。
    主权项
      权利要求书 1.一种半导体存储器件,用于进行更新操作和读写操作,它包括: 解码器,对用于所述读写操作的存取地址及用于所述更新操作的 更新地址进行解码并分别输出解码信号; 第1切换电路,进行所述解码信号的切换;以及 控制电路,根据切换后的解码信号来进行所述更新操作或所述读 写操作。
         

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