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颁 证 日：
优 先 权：
2000.2.10 US 09/502,023
申请(专利权)人：
摩托罗拉公司
地 址：
美国伊利诺斯
发 明 (设计)人：
珈玛尔·拉丹尼;拉艾德兰斯·德鲁帕德
国 际 申 请：
CT/US01/04207 2001.2.8
国 际 公 布：
WO01/59814 英 2001.8.16
进入国家日期：
2002.08.09
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
李德山
摘要
通过首先在硅晶片(22)上生长出调节缓冲层(24)可以生长出覆盖较大硅晶片的高质量复合半导体材料外延层。调节缓冲层是单晶氧化物层，其中氧化硅非晶质分界层(28)将调节缓冲层与硅晶片分离开。非晶质分界层消除变形并且允许生长出高质量单晶氧化物调节缓冲层。调节缓冲层与底层硅晶片和覆盖的单晶复合半导体层(26)晶格匹配。通过非晶质分界层消除调节缓冲层和底层硅质基底之间的任何晶格失配。
主权项
权利要求书
1.一种半导体结构，包括：
单晶氧化物材料；和
所形成的、覆盖单晶氧化物材料的第一类型单晶复合半导体材料。
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