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颁 证 日：
优 先 权：
2000.3.8 WO PCT/SG00/00039;2000.3.8 WO PCT/SG00/00038;2000.9.11 SG 200004786－0;2000.9.11 SG 200004787－8
申请(专利权)人：
TU企业私人有限公司
地 址：
新加坡新加坡
发 明 (设计)人：
黄文秀;蓝而来;陈润全;周彦
国 际 申 请：
CT/GB01/00904 2001.3.2
国 际 公 布：
WO01/67497 英 2001.9.13
进入国家日期：
2002.09.09
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
王永刚
摘要
本发明提供一种基于灰度掩模图形(110)的新技术，所述方法只需要一步光刻和刻蚀步骤(110，120)就可在选定区域制作不同厚度的SiO2注入掩模(13)，随后由一步IID(130)完成选区混合。这种简单的低成本新技术一般可用于制造PICs，尤其可用于制造WDM源。根据本发明，通过在IID中采用灰度掩模技术，可将QW材料穿过晶片的带隙能量调节成不同的程度。这不仅使得集成单片多波长激光器成为可能，也使得在一片芯片上集成调制器和耦合器成为可能。通过将增益谱扩展到最大值，外延生长后这种技术可用于简化超发光二极管(SLDs)的制作和设计过程。
主权项
权利要求书
1.一种制作集成光路的方法，所述集成电路包括具有量子阱区的
结构，所述方法包括在结构上进行量子阱混合的步骤，其中进行量子
阱混合的步骤包括以下步骤：在所述结构上形成光刻胶，按量子阱混
合程度所需、按空间选择方式对光刻胶的不同区域有差别地曝光，随
后对光刻胶显影。
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