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制造NAND闪存的单隧道栅极氧化工艺<%=id%> |
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分 类 号：
H01L21/28;H01L21/8247;H01L29/788;H01L27/115
颁 证 日：
优 先 权：
2000.3.9 US 09/522,247
申请(专利权)人：
先进微装置公司;富士通株式会社
地 址：
美国加利福尼亚州
发 明 (设计)人：
K·M·韩;方浩;东谷政昭
国 际 申 请：
CT/US01/40259 2001.3.5
国 际 公 布：
WO01/67490 英 2001.9.13
进入国家日期：
2002.09.09
专利 代理 机构：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代 理 人：
戈泊;程伟
摘要
一种用以制造NAND存储器串的单隧道栅极氧化工艺，其中选择晶体管和浮栅存储晶体管的栅极氧化物(24)以单一氧化步骤制成。该选择栅极晶体管和浮栅晶体管所具有的氧化物厚度为85～105。以单隧道栅极方法而言，为了使NAND存储器串功能正常，必须小心选择中度掺杂源极/漏极区域(62)的注入条件。在一实施例中，中度掺杂源极/漏极区域(62)以砷掺杂至浓度为1013至1014/cm2。
主权项
权利要求书
1.一种NAND闪存，其包括：
一基底(20)；
一第一导电率类型的第一区域(22)；
一选择晶体管(12)，其包括：
形成于该第一区域上的选择栅极氧化物层(24)；以及
形成于该第一区域上的第二导电率类型的第二区域(62)；以
及
一存储单元(13)，其包括：
形成于该第一区域上的存储单元氧化物层(24)；以及
形成于该第一区域上的第二导电率类型的第三区域(62)；
其中该选择栅极氧化物层和该存储单元氧化物层具有基本相同的
厚度。
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