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    以晶片级形成堆积管芯集成电路芯片封装件的方法<%=id%>


    分 类 号: H01L21/98;H01L25/065
    颁 证 日:
    优 先 权: 2000.3.9 US 09/521,299
    申请(专利权)人: 爱特梅尔股份有限公司
    地 址: 美国加利福尼亚州
    发 明 (设计)人: K·M·拉姆
    国 际 申 请: CT/US01/00828 2001.1.10
    国 际 公 布: WO01/67511 英 2001.9.13
    进入国家日期: 2002.09.09
    专利 代理 机构: 上海专利商标事务所
    代 理 人: 钱慰民
    摘要
      一种晶片级封装方法,该方法生产出堆积的双重/多重管芯集成电路封装件(91)。在该方法中,两块晶片中管芯尺寸较小的晶片可通过金属再分布工艺处理,然后附上焊球。然后该晶片被锯成各个管芯尺寸的球栅阵列封装件。在带较大尺寸管芯(25)的晶片上,在准备与管芯尺寸BGA封装件之一附接的每一管芯晶格位置正面,沉积了管芯附接粘料(18)。BGA管芯封装件背面放在该粘料上固化。引线接合操作把信号从管芯尺寸BGA封装件接到底部管芯电路。把环氧一类的涂料(18)沉积在晶片上以覆盖引线接合导线,然后固化组件。然后,把堆积管芯晶片分成各个堆积管芯IC封装件。
    主权项
      权利要求书 1.一种以晶片级形成堆积管芯IC芯片封装件的方法,其特征在于,包 括以下步骤: 提供第一与第二半导体晶片,每块晶片包括多个管芯,第二晶片多个管 芯的尺寸比第一晶片多个管芯的尺寸更小,第一与第二晶片的其中每个管芯 在其第一表面上有多个接合片, 把多个互连线附接到第二晶片多个管芯第一表面的多个接合片, 把第二晶片切成多个独立的管芯, 将第二晶片的各个管芯附着于第一晶片,其中把各个管芯的背面放置成 附着于第一晶片的第一表面,在其上形成多个封装件结构, 把各个管芯的多个接合片连接至第一晶片多个管芯的多个接合片,并且 把第一晶片切成多个独立的堆积管芯IC封装件。
         

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