制作有源矩阵基片的方法<%=id%>

分类号： H01L27/02;H01L21/84;G02F1/1362
颁证日：
优先权： 2001.1.11 GB 0100733.5
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司
地址：荷兰艾恩德霍芬
发明 (设计)人： M·J·特赖诺尔;J·R·A·艾雷斯
国际申请： CT/IB01/02533 2001.12.12
国际公布： WO02/056380 英 2002.7.18
进入国家日期： 2002.09.10
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：吴立明;罗朋
摘要
　一种制作有源矩阵基片(1)的方法，此基片含有有源元件的行和列的列阵(10)，其中每个元件(11)与一个薄膜晶体管(13)相关联，而薄膜晶体管的栅极(306)被连接到相应的行导线(15)，同时源(320)和漏(321)电极则被连接到相应的列导线(14)上，以及静电放电保护电路(20)，它被连接到至少其中的一个行导线上的，以保护薄膜晶体管免受静电放电(ESD)的破坏。本方法包含如下步骤，制作薄膜晶体管(302)和静电放电保护电路(303)的半导体区；淀积薄膜晶体管的栅极(306)和对应的行导线(15)；以及淀积薄膜晶体管的源(320)和漏(321)电极和对应的列导线(14)，其中在淀积列导线(14)之前，静电放电保护电路(20)对于控制静电放电是起作用的。
主权项
　权利要求书 1.一种制作有源矩阵基片的方法，此基片含有有源元件的行和列的阵列，其中每个元件与一个薄膜晶体管(TFT)相关联，而薄膜晶体管的栅极被连接到相应的行导线，源和漏电极则被连接到相应的列导线上；以及静电放电保护电路，它被连接到行导线中的至少一个上，以保护薄膜晶体管免受静电放电(ESD)的破坏，本方法包含如下步骤：制作薄膜晶体管和静电放电保护电路的半导体区；淀积薄膜晶体管的栅极和对应的行导线；以及淀积薄膜晶体管的源和漏电极和对应的列导线，其中在淀积列导线之前，静电放电保护电路对于控制静电放电是起作用的。

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