性能改善的双扩散金属氧化物半导体的晶体管结构<%=id%>

分类号： H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10
颁证日：
优先权： 2000.2.29 US 09/515,335
申请(专利权)人：通用半导体公司
地址：美国纽约
发明 (设计)人：石甫渊;苏根政;崔炎曼
国际申请： CT/US01/04796 2001.2.15
国际公布： WO01/65607 英 2001.9.7
进入国家日期： 2002.08.29
专利代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人：张天舒;谢丽娜
摘要
　提供一种凹槽DMOS晶体管结构，其包括至少三个在第一导电型的衬底上形成的独立凹槽DMOS晶体管单元。多个独立DMOS晶体管单元被分为外围晶体管单元和内部晶体管单元。每个独立晶体管单元包含位于衬底上的第二导电型体区。至少有一条凹槽延伸穿过体区和衬底。绝缘层与凹槽对齐。凹槽中有一设在绝缘层上的导电电极。每个内部晶体管单元(不是外围晶体管单元)还包括第一导电型的源区，其位于与凹槽相邻的体区中。
主权项
　权利要求书 1.一种凹槽DMOS晶体管结构，该结构包括在具有第一导电型衬底上形成的至少三个独立凹槽DMOS晶体管单元，所述多个独立DMOS晶体管单元被分为外围晶体管单元和内部晶体管单元，每个所述独立晶体管单元包括：位于衬底上的体区，所述体区具有第二种导电类型；至少一条凹槽延伸穿过体区和衬底；绝缘层与凹槽排齐；导电电极，在凹槽中设在绝缘层上；以及其中，每个所述内部晶体管单元而不是所述外围晶体管单元，还包括在接近所述凹槽的体区中的具有第一导电类型的源区。

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