|
|
|
|
|
|
|
|
颁 证 日：
优 先 权：
2000.3.8 WO PCT/SG00/00038;2000.3.8 WO PCT/SG00/00039;2000.9.11 SG 200004787－8;2000.9.11 SG 200004786－0
申请(专利权)人：
TU企业私人有限公司
地 址：
新加坡新加坡
发 明 (设计)人：
黄文秀;蓝而来;陈润全;周彦
国 际 申 请：
CT/GB01/00898 2001.3.2
国 际 公 布：
WO01/67568 英 2001.9.13
进入国家日期：
2002.09.09
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
王永刚
摘要
一种制作包括化合物半导体结构的集成光路的方法，所述化合物半导体结构具有量子阱区域，采用光子源对该结构进行照射以产生缺陷，光子的能量(E)至少为该化合物半导体的至少一个元素的置换能(ED)。然后将该结构进行退火以推动量子阱混合。优选的照射源是采用电子回旋共振(ECR)系统生成的等离子体。可按不同的方式遮挡该结构，从而通过控制该结构在照射源中的暴露部分，按在空间上可控制的方式实现该结构的选择性混合。
主权项
权利要求书
1.一种制作包括化合物半导体结构的集成光路的方法，所述化合
物半导体结构具有量子阱区域，所述方法包括以下步骤：采用光子源
对所述结构进行照射以产生缺陷，然后将所述结构进行退火以促进量
子阱混合，其中所述光子的能量(E)至少为所述化合物半导体的至少一
种元素的位移能(ED)。
|
|
|
|
|
设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明
Copyriht 2007 - 2008 © 科普之友 All right reserved |
