薄膜型锑铟（InSb）磁阻元件及传感器<%=id%>

所属分类：	电子微电子	项目来源：	攻关（重点）计划
技术持有方姓名：	华南师范大学量子电子研究所	所在地域：	广东
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	薄膜型磁阻元件可以制成半导体磁头、磁敏角度传感器、无触点开关、转速表、微位移传感器、编码器、检测中外现钞上磁性标志等二十多种产品。我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”，于1995年通过省级鉴定，达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上，而且可开发许多新用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测磁迹信号，这是辨真防伪技术上的重要应用。目前我校是国内唯一的一家可以生产这种高灵敏度磁头的单位，薄膜磁阻元件及半导体磁头已被评为1996年国家新产品。现向社会推出磁阻元件、磁头、无接触式电位器三种产品和一种半成品；磁阻元件芯片。