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    SJG高阻靶材和SJZ中阻靶材<%=id%>


    所属分类: 电子微电子 项目来源: 自创
    技术持有方姓名: 上海市科委 所在地域: 上海
    是否中介: 否  是否重点项目: 否 
    技术简介:
        采用先进配方和制备工艺生产大尺寸高硅含量用于电阻工业的金属膜、金属热门货膜系列电阻靶材,用该靶材溅射的电阻符合ISO9000和国标及企业标准,已用于长虹等国产名牌彩电上。
        应用领域:金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器磁控溅射。
        技术指标:
        长靶:380×127×12+1中阻阻值<100Ω,TCR<50PPm/℃
        短靶:350×127×12+1中高阻100-1000Ω,TCR<100PPm℃
        高阻靶材要求附有Cu衬板高阻>1K,TCR<100PPm/℃
         

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