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| 所属分类： |
电子微电子 |
项目来源： |
攻关（重点）计划 |
| 技术持有方姓名： |
上海交通大学 |
所在地域： |
上海 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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紫外正性光刻胶是集成电路制造工艺中控制加工精度的关键材料。目前，国内的实用分辨率为2-3微米，已大规模地用于生产。国际上现已进入超大规模集成电路（ULSI）的发展阶段，图印最小线条在0.5微米以下。我们的研究成果可达到亚微米的水平。
应用领域：半导体器件及制版，液晶生产线制版工艺及大规模集成电路光刻工艺。
技术指标：膜厚（4000rpm）1.2um，光敏性（阀值能量EO，mj/cm2）90留膜率>95%，分辩率1-2um，耐干湿刻蚀接近AE1470。
现有水平：达到国际先进水平
鉴定情况：通过国家“七五”，“八五”攻关鉴定
获奖情况：获国家攻关项目优秀成果奖
投资预算设备投资人员费用厂房面积：投资预算：450万（含技术费）；设备投资：180万；人员费用：20万；厂房面积：500平方米（50万），占地1000平方米（100万）。 |
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