激光剥离制备自支撑GaN衬底<%=id%>

所属分类：	激光	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	南京大学	所在地域：	江苏
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该技术采用准分子激光器，激光波长所对应的能量小于蓝宝石带隙能，但是大于GaN的带隙能；激光辐照透过蓝宝石衬底，辐照蓝宝石-氮化镓界面处的GaN，然后加热或弱酸腐蚀，将GaN和蓝宝石分离开来，得到GaN自支撑衬底。其特点是先将GaN表面粘在一基片上，再进行激光辐照，将GaN和蓝宝石分离开来后，再以加热方法将基片粘接层分离。