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所属分类: |
激光 |
项目来源: |
自创 |
技术持有方姓名: |
山东工业大学开发科 |
所在地域: |
山东 |
是否中介: |
否 |
是否重点项目: |
否 |
技术简介: |
半导体激光器又称激光二极管,是国际国内前沿领域的重大研究课题。对芯片结构进行了长期的研究工作,主要技术参数已达到了国际先进水平,并具备了利用该芯片材料制作器件及向市场推广应用的能力。大功率器件的光功率可达1000mW,波长范围860-670nm。半导体激光器其体积和重量如同大功率三极管。该器件被广泛应用于实验、医疗、测距、激光照排和印刷、激光音像系统、激光条码、计算机光驱、光通讯、军事领域中雷达和制导系统。808纳米半导体激光器作为光泵源是其它光泵源效率的5-10倍。半导体企业基本具备了利用该芯片材料制作器个的设备和技术条件。其它企业仅需50万-200万元的投资,可实现年生产5000只大功率器件的能力,产值1000万元,纯利润不小于70%。该波长应用范围的大功率器件普及性强,易推广应用,可以较快的取得经济效益和收回投资。欢迎有关单位联合进行产品开发。
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