半导体激光器快速电光采样仪<%=id%>

所属分类：	激光	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	吉林大学电子工程系，电子科学与技术研究所	所在地域：	吉林
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	本成果包含三部分：1 高速电路芯片电光采样分析仪是用于GaAs高速电路芯片检测的，用 1.3微米激光脉冲检测，时间分辨率17ps，空间分辨率3微米，现已改进成正面入射式外部电光取样测量装置，空间分辨率接近0.5微米，用0.65μm激光脉冲检测，用于超大规模集成电路各单元电路的性能检测，近几年来用这种仪器进行集成电路芯片内部故障诊断与参数测试已取得很大进展。2 共面集成电路芯片微波探针。1994年3月鉴定，现在已发展成规格化的试用产品，在生产线上试用成功，触头耐用12万次以上，通频带宽达14GHz，完全可替代进口产品，现正在美国一家公司制作试用样品，成本是国外十分之一。3 模拟式360度反射型线性移相器。1994年3月鉴定，插入损耗稳恒度及通频带宽，线性度等均已达到国际同类产品水平。可用于模拟式相位调制器，用于探测中相差的连续调节，360度线性扫描移相及调相放大器。