单模垂直腔面发射半导体激光器<%=id%>

所属分类：	激光	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院半导体研究所	所在地域：	北京
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该发明为一种单模垂直腔面发射半导体激光器的器件结构。其结构特征是在激光器的上部布拉格反射器的顶层进行区域选择腐蚀，从而形成一柱形成结构，并保证基横模的光强主要限制在柱形中心未腐蚀的区域，而高阶横模则有较大比例的光强分光在顶层部分或全部腐蚀掉的较低反射率区域，达到抑制高阶横模的目的。部分区域腐蚀掉顶层对横向波导的影响几乎可忽略不计，因此横向光场分布可独立控制，有利于选择最佳的控制条件。