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| 所属分类： |
激光 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
北京清华大学 |
所在地域： |
北京 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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本调制器利用铌酸锂晶体电光效应，用高温钛内扩散方法制成低损耗直单模光波导或Mack-Zehnder型光波导干涉仪，其上覆以适当厚度SiO2。SiO2面上套刻上直长电镀加厚行波型共面金电极。两端良好磨抛后，便为芯片。将其装入基片座内，芯片上光波导两端与光纤耦合、粘接。外部由金属外壳包装，,最终得到带尾光纤包装式实用器件。
光强度调制器：
(1).工作光波长1.31或1.55um波段；
(2).3dB调制带宽分为3、5、15GHz三档；
(3).半波电压(低频)分别为4、6、7V；
(4).消光比大于20dB；
(5).光纤-器件-光纤插入损耗不大于6dB。相位调制器：半波电压(低频)相应高1V。 |
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