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| 所属分类： |
计算机软件 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
电力科学研究院 |
所在地域： |
北京 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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哈蒙电阻网络(HRN)由额定值相等的n个四端钮电阻和补偿电阻组成，它们即可串联又可并联，由此获得极准确的1比n的电阻比。当满足文中论述的条件时，用万分之一的制造误差可获得亿分之一的电阻比例误差，即获益是平方关系，因而技术上十分有利。HRN的雏形虽已出现110年但其理论只在近二十余年方逐步发展。本文在外国学者工作基础上全面系统严格研究了HRN的基本理论，其中包括两端电阻的并联、四端电阻的并联、哈蒙的电阻器、过渡电阻器的误差、节点的取向等。本文推导了HRN的补偿电阻必须与相应工作电阻成比例的理论公式；根据二阶中心矩必小于二阶原点矩得出，评估的误差项1/n∑Mi有更多的有利余量因而误差评估是安全可靠的；对Page的误差表达式作了加工整理使之更能用于实际。本文对Page提出的哈蒙节点的取向概念作了极深入透彻的研究，提出节点取向实质上是利用节点内电流线的附加歪斜(当节点因材料不均匀或机械加工有公差时即存在此歪斜)，使“正”和“负”转移电阻彼此抵消从而消除误差。本文对节点取向的研究是Page论文发表18年来唯一的文章。根据本文基本理论并结合常规概念，可以有效地设计一个超高精度哈蒙电阻器，例如误差小于0.0000000003。
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