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用于超高密度光存储的集成式微探尖的选择生长技术<%=id%> |
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所属分类: |
计算机及信息技术 |
项目来源: |
自创 |
技术持有方姓名: |
大连理工大学 |
所在地域: |
辽宁 |
是否中介: |
否 |
是否重点项目: |
否 |
技术简介: |
该成果的目的是提供一种与VCSEL制作工艺相容的集成式微探尖的制作技术,以解决目前SNOM传感器微探尖制作中腐蚀过程难以精确控制、微探尖与VCSEL出光窗口难以对准和不能批量制作等问题。其技术特点是在已外延生长了pin探测器和VCSEL结构的晶片表面上沉积一层氧化物薄膜,并通过常规光刻和腐蚀手段在氧化膜上刻蚀成尺寸与VCSEL的出光窗口匹配的方形窗口阵列,然后利用液相外延生长过程中氧化膜对材料生长的阻断作用和晶体生长过程中的快生长面消失、慢生长面长大的原理,在窗口阵列上形成与VCSEL出光窗口对准的金字塔状微探尖。 该成果降低了微型集成式SNOM传感器的制作难度,提高了制作效率和成品率。
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