结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法<%=id%>

所属分类：	计算机及信息技术	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	所在地域：	上海
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该发明专利是一种结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法。该方法包含：输入波导、输出波导和至少两个调制直波导。其特征是：以绝缘层上的硅SOI为基材料，每条调制波导有各自独立的载流子注入区域，调制波导之间的连接通过利用硅的各向异性腐蚀特性或反应离子刻蚀技术制得的全内反射波导实现，且两相邻调制波导的轴线相互垂直，在短距离、小面积范围内实现了调制波导的紧凑排列，解决了载流子吸收型硅波导光强度调制器的调制深度与器件长度之间的矛盾；同时通过设计、调整全内反射波导的位置和方向，调制波导可以与不同位置的输入输出波导实现灵活连接。该器件结构紧凑、尺寸小，便于实现集成化，采用常规硅微电子加工工艺制作。