极弱静电荷电量的测量方法<%=id%>

所属分类：	测量测试	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院上海光学精密机械研究所	所在地域：	上海
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该发明专利是一种极弱静电荷电量的测量方法，特别适用于荷电量小于10-16 库仑的弱电场的测量，待测样品厚度小于或等于500nm 。首先将待测样品置于电子显微镜中，拍摄待测样品的电子全息图，再将在电子显微镜中拍好的、带有待测样品电子全息图的电子干板，置放在光学马赫一陈特尔干涉仪上，进行位相差放大，获得干涉图，读取干涉图中的干涉条纹数，就可以获得待测样品的电场及荷电量。与在先技术相比，该测量方法的灵敏度较高，能够测量极弱微电场及其荷电量。