基于Ⅲ族氮化物异质结构极化效应的高响应光电探测器<%=id%>

所属分类：	仪器仪表	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	南京大学	所在地域：	江苏
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该探测器是在硅衬底或兰宝石衬底材料上生长应变异质结构的材料：以AIN为缓冲层并外延生长GaN。在最上层材料上设有导电电极。利用该应变异质结构所特有的自发、压电极化效应所产生的高极化电场来有效分离光生电子空穴对，以降低其直接复合损失，从而提高光生载流子寿命。通过一定条件的合金化使金属电极通过表层伸入到内部的GaN层，减少了载流子的表面复合损失，提高了收集效率。