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| 所属分类： |
控制调节 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
天津大学 |
所在地域： |
天津 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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该传感器的特点是工作温度高，最高工作温度达到200摄氏度，比扩散硅压力传感器提高了约100摄氏度。可以广泛应用于石油、化工、冶金、锅炉等较高温度环境下的压力测试。随着环保要求的提高，汽车行业所需的压力传感器越来越多。该传感器也可应用于汽车工业，主要用于对内燃机油路压力，汽缸压力等的检测和控制。具有广阔的应用前景。
技术原理及工艺流程：多晶硅高温压力传感器是应变式半导体传感器。利用力学特性优良的单晶硅膜片作应变膜片，淀积的多晶硅薄膜经掺杂，光刻等工艺形成应变电阻。四个等值的应变电阻构成惠斯通电桥。外部压力作用于膜片时，不同位置的应变电阻阻值发生不同变化，电桥输出与外加压力成正比的电压信号。
多晶硅膜与单晶硅应变膜片间采用漏电很小的介质膜隔离，可减小传感器高温下应变电阻与衬应间的漏电，因而提高了传感器的工作温度。传感器的芯片工艺与半导体平面工艺兼容。主要有氧化，LPCVD，掺杂（扩散或离子注入），光刻，等离子干法刻蚀等常规半导体平面工艺。在制作硅杯时用的是体硅的微机械加工技术。采用此加工技术可以提高制作硅杯的效率，也可提高膜片厚度的控制精度。传感器的全固态封装用到较高精度的机构加工技术，真空技术等。 |
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