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所属分类: |
仪器仪表 |
项目来源: |
自创 |
技术持有方姓名: |
传感器国家工程研究中心 |
所在地域: |
辽宁 |
是否中介: |
否 |
是否重点项目: |
否 |
技术简介: |
InSb磁敏元件是使用量大面广的测量控制基础元件,中心在科技攻关的基础上,围绕市场需求进行了工程化研究开发工作,解决了一系列工艺问题。由于In和Sb的饱和蒸汽压相差几个数量级,而且蒸发温度相差悬殊,工程化工程中采取了一系列措施,将In和Sb的比例偏差控制在比较小的范围内,从而稳定了工艺和产品质量,使批量生产中的一级品率可达到50%以上。同时,薄膜磁阻、强磁体磁敏元件的工程化工作也在顺利进行。 中心可以生产并提供多种量程的InSb磁敏元件,这些元件的批量生产时的技术参数已经达国外产品相同的技术水平,如:灵敏从整体水平上讲,本项成果大大缩短了我国磁敏传感器在用量最大的产品方面与发达国家的差距,大大减少了国外产品的依赖。灵敏度达到122~320mV,零磁场剩余电压为,霍尔电压平均温度系数-2%/℃。这些元件广泛用于水表、电表的自动计费方面。 |
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