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| 所属分类： |
控制调节 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
中国科学院力学研究所 |
所在地域： |
北京 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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该实用新型专利是一种低温下金属基体表面渗入金属离子的装置。它包括气体控制部分，真空系统与真空室相通，电弧蒸发源靶、触发引弧结构均安置在真空室内上部；真空室内下部设有一放置工件的转动机构带动的具有公转的自转的支架，直流电源的阻极与靶相连接，阳极与真空腔连接并接地。
其特征在于：该装置还包括一高压直流脉冲电源，它连接在工件阴极和真空腔之间，可调节孔径大波折挡板安置在电弧蒸发源的前端。 |
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