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| 所属分类： |
仪器仪表 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
中国科学院信息咨询中心 |
所在地域： |
北京 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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该设备有8个独立式束源炉，最大容量40立方米，温控1250度；配套仪器有高能电子衍射仪，四极质谱仪等。采用双外延生长系统，分析预处理系统，相品引进系统，外延生长工艺过程微机控制。该设备可应用于生长各种各种半导体材料，并可用于研究和确定晶体生长机理，开展表面物理研究，能够精确的控制外延薄膜的厚度、成份和掺杂组份，制备各种组份要求和平坦表面及陡峭的分界面和非常薄的薄膜，可以做外延生长时的原位分析。 |
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