非破坏性光伏谱法研究半导体材料的性质<%=id%>

所属分类：	仪器仪表	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	集美大学	所在地域：	福建
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	光伏谱不仅直接反映了半导体材料的光谱响应能力，而且还能半导体少子扩散长度，禁带宽度、深能级、带间光跃迁、光生载流子输运等信息，是研究半导体单晶、P-n结、异质结构和超晶格、量子阱等低维结构特性十分有效的工具。电容耦合法测量光伏谱是一种非破坏性的好方法，其特点是无需制作被测样品的电极，对实验样品无破坏性，而且灵敏度高。特别适合于半导体单晶质量检测，分析半导体器件制造中各工艺过程的影响，以及分析外界恶劣条件（如高能粒子车辐照、高温等）对器件性能的影响。还可以应用于研究半导体异质结构和超晶格、量子阱等低维结构的物质特性和参数。电容耦合法伏谱自动测量系数主要由计算机、扫描控制器、光栅单色仪和锁定放大器等组成，由计算机控制整个测量过程，并可进行各种数据处理，如曲线平滑、移动、分解迭加、放大和比较等。我们采用电容耦合法测光伏谱的方法测量了硅单晶和ALGaAs/GaAs异质结构的特性参数，该项目96年攻福建省科技进步二等奖，测量了GexSnl-x/Si应变层超晶格和量子阱的光电特性，该项目96年获福建省青年科技奖。

设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明