无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	所在地域：	上海
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该发明专利提供了一种无损检测111-V 族化合物半导体InP 与GaAs 基材料的直接键合结构质量的方法。将InP 一GaAs 直接键合结构减薄为100-250μm ，进行红外吸收光谱特性的二维扫描探测，发现某些区域在波长3.51μm 附近出现吸收峰，表明该区域出现了类似InAs 微结构物质的中间层，而吸收谱上3. 51μm 附近不出现吸收峰的区域则不存在中间层，利用该波长位置是否出现吸收峰可区分键合较好与较差的界面结构区域；作出其吸收强度等值线图，可得到整个键合界面质量均匀性的分布图，为键合装置及键合条件的改进提供了方向；此外，描绘其他吸收波段（1.0 一4.0 μm ) ，如器件工作波长处的强度等值线图，可以描述键合界面引起该波段光损耗的分布情况，从而为器件研制提供重要信息。