可提高靶材利用率的磁控溅射靶<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院金属研究所	所在地域：	辽宁
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该发明专利是一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶。由水冷靶材和可移动的磁体组成平面靶或圆柱靶结构；平面靶结构中磁体通过滚动轴承与水冷背板安装在一起，电机通过传动盘驱动金属板和固定在其上的磁体一起运动；圆柱靶结构中磁体套在不锈钢管上安装于圆柱靶内，置于冷却水中，并通过连接机构与电机相连。该专利采用了移动磁体技术，通过对普通磁控溅射平面靶和圆柱靶磁体的改进，使其磁体在溅射镀膜过程中能够移动，从而使靶材表面的刻蚀区域更宽，刻蚀更均匀，靶材的利用率有明显的提高；同时保留了磁控溅射工艺的优点，而没有影响其工艺性能。该磁控溅射靶还具有结构简单、性能可靠、易操作等特点，可显著提高靶材的利用率，具有广泛的应用领域。