一种阻抗成像方法及装置<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院电工研究所	所在地域：	北京
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该发明专利是一种阻抗成像方法。该专利利用激励线圈产生交变场，根据电磁感应原理在成像目标中产生感应电流，影响激励交变场的分布，采用磁共振成像技术测量成像目标中的磁场分布。该成像装置包括：激励线圈、磁共振成像磁体、射频发射线圈及梯度线圈、磁共振信号接受线圈、磁共振成像系统、激励电流源和计算机。激励细圈为一对亥姆霍兹线圈，安装在开放式磁共振成像系统射频线圈的上下极板处。该专利避免了电极的接触阻抗及摆放位置对成像目标阻抗分布图像的影响，克服了类似绝缘体的组织产生的注入电流难以穿过的缺点，削弱了由场分布求解阻抗分布这一逆问题的病态性以及解决成像分辩率的问题，并可克服接受线圈对成像目标内部反应不敏感的缺陷。