砷化镓基半导休-氧化物绝缘衬底<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	其他
技术持有方姓名：	中国科学院物理研究所	所在地域：	北京
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该实用新型专利是一种砷化镓基半导休-氧化物绝缘衬底。该衬底包括：厚度为300－800pm的砷化镓衬底，在砷化镓衬底上外延的厚度为10－2000nm的缓冲层，在缓冲层上外延生长的厚度为20－2000nm的含Al的半导体化合物层，及其上覆盖的厚度为5－500nm的盖帽层。该专利提供的砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底具有良好的热稳定性，并可二次外延，非常有利于器件性能的改善；另外，这种制作方法还大大增加了器件结构的灵活性，并且非常适用于高性能电子器件结构和光电集成电路结构。