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| 所属分类： |
新型材料 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
中国科学院上海光学精密机械研究所 |
所在地域： |
上海 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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该专利是一种MgIn2O4/MgO复合衬底材料及其制备方法。
该复合衬底材料由MgO单晶和一层MgIn2O4覆盖层构成。
该复合衬底材料的制备方法是：先利用脉冲激光淀积方法在MgO单晶衬底上制备In2O3薄膜，然后在高温下，通过In2O3与MgO的固相反应，在MgO单晶衬底上形成MgIn2O4覆盖层。
该复合衬底材料的制备工艺简单、操作方便。此种结构的复合衬底（MgIn2O4/MgO）适合于高质量GaN的外延生长。
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