硅纳米线的制作方法<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	所在地域：	上海
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	其特征在于：利用硅的各向异性腐蚀在介质层上的硅材料加工硅纳米线。所得纳米线的截面为等腰三角形，三角形底上的高等于介质层上的硅材料厚度，控制硅材料厚度，就可得到载面尺度为10-50nm的硅纳米线；且可通过氧化进一步减细以及还可对材料进行掺杂，以制作不同导电类型的纳米线。使用该方法制作的纳米硅线，可用于研究低维半导体性质，还可以做成传感器件、电子器件，甚至发光器件等；且可批量生产，所以应用前景广阔。