高亮度氮化镓GaN蓝光LED及相关技术<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	西安电子科技大学	所在地域：	陕西
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	以GaN及其合金材料为代表的第三代半导体材料将带来IT行业存储技术的革命。氮化镓基材料可制成高效蓝、绿光发光二极管和激光二极管LD（又称激光器），并可延伸到白光二极管，后者将替代人类沿用至今的照明系统。技术内容：我校在GaN材料生长用MOCVD设备的研制，高质量GaN单晶异质外延技术，多层量子阱超晶格生长技术和高亮度GaN蓝光LED器件制造工艺技术等方面取得了大量的科研成果，并自主研制GaN材料生长MOCVD设备。市场背景：氮化镓蓝光LED相关材料及器件广泛应用于全色大屏幕显示器，高亮度LED交通信号灯和指示灯，以氮化镓为基础的高亮度半导体LED具有体积小、寿命长、功耗低等优点，并向着亮度、全彩色、大型化方向发展。