大面积高质量GaN自支撑衬底制备技术<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	南京大学	所在地域：	江苏
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该技术首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜；然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延，获得大面积、低位错密度的GaN厚膜；采用激光扫描辐照剥离技术，将GaN厚膜从蓝宝石衬底上剥离下来，再进行表面抛光处理，就可以获得高质量GaN自支撑衬底。该成果结合了3种不同技术的优点：可获得高质量的位错密度的GaN薄膜；可以快速生长大面积GaN厚膜；可以快速无损伤地将GaN薄膜从蓝宝石衬底上分离开来。