AlGaInp橙黄光高亮度LED外延片及LED管芯<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中科院半导体研究所	所在地域：	北京
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该课题根据目前国际国内市场对高亮度发光二极管的需求，对AlGaInp材料的发光特性及高亮度发光二极管的结构进行了深入调研，确立了以AlGaInp材料的生长和发光二极管的结构设计为研究方向，得到了863计划的大力支持。该课题的研究首先突破了AlGaInp材料的MOCVD生长技术，获得了高质量的外延材料，在发光二极管结构设计上有所创新。在研制过程中对发光二极管的光电特性进行了深入的物理分析，形成了较系统的理论，为指导发光二极管的生产奠定了基础。目前课题已研制出橙、黄不同颜色的发光二极管。在20mA电流下，606nm LED管芯发光强度平均可达70mcd，590nm LED管芯发光强度平均可达到50mcd，达到国际先进水平。市场前景分析：超高亮度发光二极管主要应用于交通信号灯、汽车尾灯、户外大屏幕显示等领域。市场潜力很大。