TSCE系新型反差增强材料<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	同济大学	所在地域：	上海
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该技术是在1983年由美国GE公司研究人员提出的一种光刻配套新技术，主要适用于大规模集成电路和超大规模集成电路的制造。其核心技术是在正常的光刻胶层上面，再加涂一层反差增强层，藉以减少曝光光线在光刻胶层中的散射、愆射而造成的误差，提高曝光成象反差，从而提高光刻分辨率和图象质量。反差增强材料则是反差增强层技术的关键材料，它是由一种具有光漂白作用的反差强剂和相应的成膜剂及少量添加剂组成。性能指标：本材料的主要技术指标：感光区域300-450NM；最大吸收波长：340-350左右；最大摩尔吸光系数：-10（4上）（数量级）；纯度%：>99.00；金属离子含量：<1PPM；稳定期（配胶后20摄氏度）：6个月按我国目前生产线上实际应用上性光刻胶的数量估算，每年对反差增强剂的需求约为1-3吨左右，核算成反差增剂料（胶液）约为20吨左右。本技术达国际先进水平，通过国家教委组织鉴定。