氧化铝弥散强化铜引线框架材料及制备方法<%=id%>

所属分类：	五金	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院金属研究所	所在地域：	辽宁
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该发明专利为一种氧化铝弥散强化洞引线框架铜合金材料及制备方法，涉及微电子封沁用金属材料领域。在铜粉合金中添加重量百分比为0.2-0.3的铬粉及1-3的氧化铝粉，充分混合后球磨。汗在氢气环境中进行还原处理，再冷压成型、烧结挤压，最后进行热处理使合金获得弥散强化和沉淀强化的双重强化效果，从而获得高强高导铜合金采用该专利可进一步提高氧化铝弥散强化铜引线框架材料的抗拉强度，适用于集成电路或大规模集成电路。