无机半导体复合纳米级空心球及制备方法<%=id%>

所属分类：	无机	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院化学研究所	所在地域：	北京
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该发明专利是一种无机半导体复合纳米级空心球材料的制备方法。其特征是通过将镉源溶液与钛源溶液直接混合并加热，可以一步大规模合成半导体复合纳米级空心球。该技术不涉及可牺牲模板和不相溶液体相，并且不需要多步骤的复杂制备过程。利用该技术通控制反应条件可以制备出粒径、壳层厚度、组成可控的半导体复合纳米级空心球。该技术还可以拓展于合成其他的金属氧化物半导体与硫属化合物半导体复合的纳米级空心球，因而在纳米材料或其他科学领域具有巨大的潜在应用价值。