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| 所属分类： |
石油化工及冶金 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
中国科学院物理研究所 |
所在地域： |
北京 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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该发明专利是一种在异质衬底上大失配外延生长GaN单晶薄膜的方法。
该方法是用异质材料或蓝宝石材料做衬底，在化学气相沉积生长装置中，首先将氢气通入反应室中，然后加热衬底至1200℃；10分钟后衬底降温，用氨气与由氢气携带的三甲基镓通入反应室，并保持氨气流量为3000－8000毫升／分钟，三甲基镓流量为1-10毫升／分钟，以生长GaN或AlN成核层；成核层在原位进行退火处理；退火后，保持衬底温度在700－1300℃下，将三甲基镓通入反应室以生长1nm－500nm厚的GaN；然后降低V/Ⅲ摩尔比至＞0.5和＜2之间，继续生长GaN层至厚度在1nm-10000nm。
该方法抑制了晶体缺陷的产生，使GaN单晶薄膜在生长的初期和后期都处在优化的生长条件下，从而大大地提高了晶体质量和光电特性。
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