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| 所属分类： |
石油化工及冶金 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
中国科学院理化技术研究所 |
所在地域： |
北京 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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该发明专利是一种制备碳化硅的方法，涉及碳化硅的制备技术领域。
该专利所要解决的技术问题是：针对至今为止硅源仅限于二氧化硅的晶形或非晶形粉体颗粒材料，且其与碳源材料的混合方式不可能获得超紧密接触的混合反应体系的缺陷，提出一种成本低，后续工序不需酸洗、精加工粉碎，并且易于产业化的制备超细碳化硅粉体和晶须的方法。
该专利包括：将碱性化的硅源与含碳的碳源进行均质化处理后制备前驱体、1400-1800℃下加热0.5-4小时，或将加热温度提高到2200℃，得到碳化硅晶体；若有残余碳，可在低于800℃空气气氛下加热除去。
该专利方法主要用来制备碳化硅超细粉体和晶须。
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