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| 所属分类： |
石油化工及冶金 |
项目来源： |
自创 |
| 技术持有方姓名： |
吉林大学 |
所在地域： |
吉林 |
| 是否中介： |
否 |
是否重点项目： |
否 |
技术简介：
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该成果首先在Si或SiO2衬底上溅射铁或钴或镍层，再溅射金层，制备出复合膜的催化剂；再将衬底置于热丝CVD设备中，以氢气和甲烷为反应气体，衬底温度为600-950℃，气体压力为12-30Tor，生长时间为10-120min；或在金/铁系元素复合膜上放置挡片，使氢气甲烷的气体流量比为H2：CH4=100：（1-100）；或不放置挡片，使H2：CH4=100：（7.5-100）。
该成果能制备出直径为20-200纳米的高纯多壁碳纳米管；无需对催化剂金属层预处理，不需要等离子体增强技术，达到简化工艺、缩短生长周期、降低成本的目的。在高氢气氛下生长的碳纳米管在场致发射、储氢及化学传感器等方面有较高的应用价值和良好的应用前景。
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