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所属分类: |
石油化工及冶金 |
项目来源: |
自创 |
技术持有方姓名: |
中国科学院上海光学精密机械研究所 |
所在地域: |
上海 |
是否中介: |
否 |
是否重点项目: |
否 |
技术简介: |
其特点是:采用碳酸锂(Li2CO3)和氧化铝(Al2O3)或氧化家(Ga2O3)为原料,按照一定比例配料,压制成块,直接装入坩埚,坩埚密封后置于钟罩式真空电阻炉内,用垂直温梯法生长晶体。 由于原料中采用碳酸锂(Li2CO3),使得密封坩埚内含CO2和O2的局部氧化气氛,这样既避免了炉内氧化气氛对发热体和保温材料的氧化污染,又有效克服了熔体组分因为还原气氛而挥发的问题,可以生长出作为InN-GaN基蓝光衬底的大面积的铝酸锂和镓酸锂晶体。
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